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論文

Localization estimation of ionizing radiation-induced abasic sites in DNA in the solid state using fluorescence resonance energy transfer

赤松 憲; 鹿園 直哉; 齊藤 毅*

Radiation Research, 183(1), p.105 - 113, 2015/01

 被引用回数:19 パーセンタイル:64.18(Biology)

DNAに生じた傷(DNA損傷)のほとんどは生物が有する損傷修復機構によって元通りに修復されるが、中には修復困難なタイプの傷があり、これが突然変異や発癌の原因になるといわれている。修復困難とされる損傷型のひとつに「クラスター損傷」(複数の損傷がDNA鎖上の狭い領域に集中的に生じている)がある。しかしながら、その化学構造・損傷局在性の程度・生成頻度等の実体はほとんど明らかになっていない。そこで我々は、クラスター損傷の実体、特に局在性を実験的に解明するために、蛍光共鳴エネルギー移動を利用した損傷位置局在性評価法(FRET法)の開発を行ってきた。検出対象の損傷には脱塩基部位(AP)を選び、FRET法を、種々の放射線($$^{60}$$Co $$gamma$$線,ヘリウム・炭素イオンビーム)を照射した乾燥DNA試料に適用したところ、特に飛跡末端の炭素イオンビームでは、飛跡中でクラスター化した損傷が生じることが明らかとなった。

論文

Laser ablation of silicon in neon gas; Study of excitation mechanism of neon neutrals by ablated silicon ions

佐伯 盛久; 平田 紘一*; 作花 哲夫*; 大場 弘則; 横山 淳

Journal of Applied Physics, 98(4), p.044912_1 - 044912_6, 2005/08

 被引用回数:3 パーセンタイル:13.67(Physics, Applied)

Nd:YAGレーザーの基本波を用いてネオンガス中でシリコンのレーザーアブレーションを行い、アブレーション生成物であるシリコンイオンによるネオンの励起過程を分光学的手法により調べた。その結果、ネオンは入力エネルギーの数十倍のエネルギー準位まで励起されており、その励起過程は早い成分($$<$$100ns)と遅い成分($$<$$300ns)に分類できることがわかった。さらに、早い成分は特定の励起状態においてのみ観測された。シリコンイオンとネオンで発光の時間変化を比較した結果、早い成分はシリコンイオンとネオンの電子状態間での共鳴的なエネルギー移動過程によるものであり、遅い成分はシリコンイオンの衝突エネルギーによりネオンが励起される過程であることが明らかになった。

論文

イオンによる環境応答性多孔膜の作製

大道 英樹; 吉田 勝; 浅野 雅春; 片貝 良一*; Spohr, R.*; Vetter, J.*

Ionics, 22(SUPPL.1), p.27 - 32, 1996/06

温度、pH、電場などの環境条件を変化させたとき、その変化量に対応して孔を開閉することのできる機能性フィルターを開発する目的で、イオンビームをポリマーフィルムに照射し、次いで高分子ゲルを化学結合させた。まず核飛跡検出器として知られるCR-39フィルムに各種イオンビームを照射し、円筒状の孔を形成する条件を調べた。その結果、核子あたり10MeV程度のエネルギーの鉛、ウラン、キセノンなどの重イオンを用いれば限定エネルギー移動量が10$$^{4}$$MeV・cm$$^{2}$$/g以上となり、所期の目的を達成できた。次に、重合して高分子ゲルとなるモノマーを$$gamma$$線照射により孔の壁の部分で重合させ、孔に2重円筒状にゲル部分を結合させた。その結果、ゲルの相転移温度を挟んで外部温度を上下させることにより、ゲルが膨潤・収縮して孔の開閉状態が制御されることがわかった。さらに、このフィルータの応用についても触れた。

論文

エラストマーの熱劣化と放射線劣化の相違点に関する検討

伊藤 政幸; 佐藤 武範*; 村上 謙吉*

日本ゴム協会誌, 69(1), p.62 - 67, 1996/00

架橋したエチレン-プロピレン純ゴムに放射線を線量を変えて照射した。未照射試料と照射試料の各々を試料として、化学応力緩和を80$$^{circ}$$Cから140$$^{circ}$$Cの範囲で10$$^{circ}$$C毎の一定温度で測定し、各温度での熱による分子鎖の切断速度を算出した。いずれの温度においても、放射線を照射した試料は線量に依存せず、未照射試料の約10倍の速度で分子鎖が切断されることが明らかとなった。一方、未照射試料を熱老化させた場合には、熱老化時間の増加に伴って切断速度が増加した。以上の結果から、放射線劣化の場合にはエラストマーから酸化防止剤へのエネルギー移動が起こり、照射によって酸化防止剤が急速に照射されるが、熱劣化においてはエラストマーと酸化防止剤の両者が同時に劣化を受けると考えられる。

論文

Radiation-induced chemical reaction of methane in the presence of X- and Y-type molecular sieves

清水 雄一; 永井 士郎

Radiation Physics and Chemistry, 36(6), p.763 - 766, 1990/00

X(13X)およびY(SK-40)型モレキュラーシーブスの存在下において300$$^{circ}$$Cでメタンを電子線照射すると、水素およびC$$_{5}$$までの炭化水素が生成した。炭化水素の収量は、エチレンを除き、いずれも照射時間と共にわずかに増加した。SK-40上での炭化水素の収量はモレキュラーシーブ非存在下の収量よりも大きいが、13Xでは小さかった。このように、SK-40はメタンの放射線分解に対して触媒活性を示すが、13Xはほとんど示さなかった。13XおよびSK-40上での炭化水素分布はモレキュラーシーブ非存在下での炭化水素分布とほとんど同じであった。また、メタンの放射線分解に対する各種のモレキュラーシーブスの触媒活性の度合いは直鎖炭化水素の熱触媒反応における触媒活性の度合いとは著しく異なることが明らかになった。これらの結果を、エネルギー移動およびモレキュラーシーブの細孔径と生成分子の分子径との関係の観点から議論した。

論文

Radiation-induced chemical reaction of methane in the presence of silica-aluminas in reaction to the catalytic activity of molecular sieves

清水 雄一

Radiation Physics and Chemistry, 36(3), p.291 - 294, 1990/00

固体酸性度に関連するSiO$$_{2}$$/A1$$_{2}$$O$$_{3}$$比の異なる4種のシリカ-アルミナ存在下でのメタンの放射線化学反応をモレキュラーシーブのメタン放射線分解における触媒活性との関連において研究した。主生成物は水素およびC$$_{5}$$までの炭化水素であり、それらの収量は均一系に比べて著しく増大した。生成物収量、アルケン/アルカン比および炭化水素分布とシリカ-アルミナ中のAl$$_{2}$$O$$_{3}$$含量との間には相関が認められないことから、生成物収量の増大はシリカ-アルミナの固体酸性度に無関係であると考えることができる。生成物収量の順序およびその経時変化はモレキュラーシーブSAと同じであった。シリカゲルもまた高い触媒活性を示した。従って、モレキュラーシーブ上でのメタンの放射線分解における生成物収量の増感はその固体酸性には無関係であると結論できる。モレキュラーシーブの触媒活性をエネルギー移動の概念によって説明することを試みた。

論文

Effect of amount of monomer on radiation-induced polymerization of styrene adsorbed on silica gel

日馬 康雄; 宇田川 昂; 武久 正昭

Journal of Polymer Science; Polymer Chemistry Edition, 17(2), p.405 - 414, 1979/00

シリカゲルに吸着したスチレンの放射線重合に及ぼすモノマー吸着量の影響について吸着量を一層以下から平衡吸着まで変化させ検討した。グラフト重合速度ならびに生成物の分子量は吸着量の影響を受け、グラフと効率は一層で最も高くなる。一般にグラフトポリマーの分子量はホモポリマーよりも大きいが、その差は吸着量の増加に伴い減少する。これらの結果は重合の開始種(ラジカル又はイオン)の数が吸着量の影響を受けることから説明され、また生長や停止反応は吸着分子の運動性に関連して吸着量の影響を受ける。吸着量が少ない場合、初期に極めて高分子量のポリマーの生成が見られる。またモノマーが消費されたのちにグラフト率が上昇する現象が吸着量の大きい場合に見られることから、放射線エネルギーの移動による2次的効果、即ち分解・架橋・付加などが起こることが示唆された。

口頭

FRETを用いた放射線DNA損傷の局在性評価; 線質による相違

赤松 憲; 鹿園 直哉

no journal, , 

高LET放射線の飛跡周辺や二次電子の飛跡末端で生じやすいとされているクラスター損傷は修復が困難とされているが、その化学構造、線質・エネルギーの違いとの関係についてはほとんど明らかになっていない。そこで、脱塩基部位(AP)を研究対象とし、コバルト60$$gamma$$線やヘリウム線、炭素線を照射した乾燥DNAフィルムに対して蛍光共鳴エネルギー移動(FRET)を利用したDNA損傷局在性評価法による分析を行った。その結果、$$gamma$$線とヘリウム線のFRET効率Eは、両者の有意差はなかったもののAP密度の増加に伴って大きくなる傾向が認められた。これは、線量が上がるにつれて近接したAPが増加していくことを示している。一方、炭素線のEは$$gamma$$線、ヘリウム線より有意に大きく、また、AP密度がゼロに向かう(すなわち極低線量になる)につれE=0.10付近に近づくことが明らかとなった。これは、炭素線のトラック1本でAPクラスターが「一気に」生じることを意味している。

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